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Casa > Produtos > Produtos de semicondutores discretos > Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol > RN2112ACT(TPL3)

RN2112ACT(TPL3)

Número da peça do fabricante RN2112ACT(TPL3)
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
RN2112ACT(TPL3) Fichas de dados RN2112ACT-13ACT
RN2112ACT(TPL3) Preço Solicite uma cotação
RN2112ACT(TPL3)
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Especificações do RN2112ACT(TPL3)

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)80mA
Tensão - BreakdownCST3
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic50V
Série-
Status de RoHSTape & Reel (TR)
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms)22k
Resistor - Base (R1) (Ohms)-
Power - Max100mW
PolarizaçãoSC-101, SOT-883
Outros nomesRN2112ACT(TPL3)TR
Fator de ruído (dB Typ @ f)-
Tipo de montagemSurface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)1 (Unlimited)
Número de peça do fabricanteRN2112ACT(TPL3)
Frequência - Transição120 @ 1mA, 5V
Descrição expandidaPre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
DescriçãoTRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce100nA (ICBO)
Atual - Collector Cutoff (Max)150mV @ 250µA, 5mA
Atual - Collector (Ic) (Max)PNP - Pre-Biased
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