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RN1107ACT(TPL3)

Número da peça do fabricante RN1107ACT(TPL3)
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
RN1107ACT(TPL3) Fichas de dados RN1107ACT-09ACT
RN1107ACT(TPL3) Preço Solicite uma cotação
RN1107ACT(TPL3)
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Especificações do RN1107ACT(TPL3)

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic150mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistorNPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedorCST3
Série-
Resistor - Base do Emissor (R2)47 kOhms
Resistor - Base (R1)10 kOhms
Power - Max100mW
EmbalagemCut Tape (CT)
Caixa / GabineteSC-101, SOT-883
Outros nomesRN1107ACT(TPL3)CT
Tipo de montagemSurface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Descrição detalhadaPre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)80mA
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