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IMT3AT108

Référence fabricant IMT3AT108
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
IMT3AT108 Livret des spécifications EMT3, IMT3A
IMT3AT108 Prix Demander un devis
IMT3AT108
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.

Spécifications de IMT3AT108

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 5mA, 50mA
Transistor Type2 PNP (Dual)
Package composant fournisseurSMT6
Séries-
Puissance - Max300mW
EmballageTape & Reel (TR)
Package / BoîteSC-74, SOT-457
Autres nomsIMT3AT108-ND
IMT3AT108TR
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition140MHz
Description détailléeBipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 140MHz 300mW Surface Mount SMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)150mA
Numéro de pièce de baseMT3
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