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1N3768R

Référence fabricant 1N3768R
Fabricant GeneSiC Semiconductor
La description DIODE GEN PURP REV 1KV 35A DO5
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
1N3768R Livret des spécifications 1.1N3765 thru 1N3768R
2.DO-5 (DO-203AB) Pkg Drawing
1N3768R Prix Demander un devis
1N3768R
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.

Spécifications de 1N3768R

Tension - directe (Vf) (max) @ Si1.2V @ 35A
Tension - inverse (Vr) (max)1000V
Package composant fournisseurDO-5
La vitesseStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries-
EmballageBulk
Package / BoîteDO-203AB, DO-5, Stud
Autres noms1242-1021
Température d'utilisation - Jonction-65°C ~ 190°C
Type de montageChassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Type de diodeStandard, Reverse Polarity
Description détailléeDiode Standard, Reverse Polarity 1000V 35A Chassis, Stud Mount DO-5
Courant - fuite, inverse à Vr10µA @ 50V
Courant - Rectifié moyenne (Io)35A
Capacité à Vr, F-
Numéro de pièce de base1N3768R
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