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STQ2LN60K3-AP

Número de pieza del fabricante STQ2LN60K3-AP
Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 600V 0.6A TO-92
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
STQ2LN60K3-AP Especificaciones STQ2LN60K3-AP
STQ2LN60K3-AP Precio Solicitar presupuesto
STQ2LN60K3-AP
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Especificaciones de STQ2LN60K3-AP

VGS (th) (Max) @Id4.5V @ 50µA
Vgs (Max)±30V
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivoTO-92-3
SerieSuperMESH3™
RDS (Max) @Id, Vgs4.5 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)2.5W (Tc)
embalajeTape & Box (TB)
Paquete / CubiertaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Otros nombres497-13391-3
STQ2LN60K3AP
Temperatura de funcionamiento150°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHSLead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds235pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs12nC @ 10V
Tipo FETN-Channel
Característica de FET-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las600V
Descripción detalladaN-Channel 600V 600mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C600mA (Tc)
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