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IXFN100N50P

codice articolo del costruttore IXFN100N50P
fabbricante IXYS Corporation
Descrizione MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
IXFN100N50P Specifiche IXFN100N50P
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IXFN100N50P
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Specifiche di IXFN100N50P

Vgs (th) (max) a Id5V @ 8mA
Vgs (Max)±30V
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitoreSOT-227B
SeriePolarHV™
Rds On (max) a Id, Vgs49 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max)1040W (Tc)
imballaggioTube
Contenitore / involucroSOT-227-4, miniBLOC
Altri nomi615236
Q3394492
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggioChassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard24 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds20000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs240nC @ 10V
Tipo FETN-Channel
Caratteristica FET-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Tensione drain-source (Vdss)500V
Descrizione dettagliataN-Channel 500V 90A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C90A (Tc)
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