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RJK6015DPK-00#T0

Número da peça do fabricante RJK6015DPK-00#T0
Fabricante Renesas Electronics America
Descrição MOSFET N-CH 600V 21A TO3P
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
RJK6015DPK-00#T0 Fichas de dados RJK6015DPK-00#T0
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RJK6015DPK-00#T0
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Especificações do RJK6015DPK-00#T0

VGS (th) (Max) @ Id-
Vgs (Max)±30V
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedorTO-3P
Série-
RDS ON (Max) @ Id, VGS360 mOhm @ 10.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)150W (Tc)
EmbalagemTube
Caixa / GabineteTO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds2600pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs67nC @ 10V
Tipo FETN-Channel
Característica FET-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)600V
Descrição detalhadaN-Channel 600V 21A (Ta) 150W (Tc) Through Hole TO-3P
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C21A (Ta)
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