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IRF6802SDTR1PBF

codice articolo del costruttore IRF6802SDTR1PBF
fabbricante
Descrizione MOSFET 2N-CH 25V 16A SA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
IRF6802SDTR1PBF Specifiche IRF6802SD (TR) PBF
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Specifiche di IRF6802SDTR1PBF

Vgs (th) (max) a Id2.1V @ 35µA
Contenitore dispositivo fornitoreDIRECTFET™ SA
SerieHEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs4.2 mOhm @ 16A, 10V
Potenza - Max1.7W
imballaggioOriginal-Reel®
Contenitore / involucroDirectFET™ Isometric SA
Altri nomiIRF6802SDTR1PBFDKR
temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggioSurface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1350pF @ 13V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 4.5V
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)25V
Descrizione dettagliataMosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 16A 1.7W Surface Mount DIRECTFET™ SA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C16A
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